Please use this identifier to cite or link to this item:
http://srd.pgasa.dp.ua:8080/xmlui/handle/123456789/10584
Title: | Investigation of photoluminescence of znsxse1-x and znsxse1-x: mn nanocrystals obtained by combustion synthesis for optoelectric devices |
Other Titles: | Дослідження фотолюмінесценції нанокристалів znsxse1-x та znsxse1-x : mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу для оптоелектричних приладів |
Authors: | Plakhtii, Yevhen Плахтій, Євген Георгійович Volchuk, Volodymyr Волчук, Володимир Миколайович Shibko, Oksana Шибко, Оксана Миколаївна |
Keywords: | ZnSxSe1-x nanocrystals ZnSxSe1-x photoluminescence spectra individual emission bands Mn nanocrystals combustion synthesis нанокристали ZnSxSe1-x:Mn нанокристали ZnSxSe1-x самопоширюваний високотемпературний синтез спектри фотолюмінесценції індивідуальні смуги випромінювання |
Issue Date: | May-2023 |
Publisher: | Придніпровська державна академія будівництва та архітектури |
Citation: | Plakhtii Y. Investigation of photoluminescence of znsxse1-x and znsxse1-x: mn nanocrystals obtained by combustion synthesis for optoelectric devices / Y. Plakhtii, V. Volchuk, O. Shibko // Металознавство та термічна обробка металів. – 2023. – № 1 (100). – С. 61-72 |
Abstract: | EN: The photoluminescence spectra of ZnSxSe1-x and ZnSxSe1-x : Mn nanocrystals obtained by combustion synthesis for all compositions with the parameter step x = 0.2 were registered. The movement of the maximum of the integral photoluminescence spectrum in ZnSxSe1-x and ZnSxSe1-x : Mn nanocrystals towards higher energies, depending
on the parameter x, was noted. It was noticed that in the range of values x = 0.2÷0.4 there is an abrupt change in the
half-width of the integral photoluminescence spectrum in ZnSxSe1-x and ZnSxSe1-x : Mn nanocrystals and the signal
intensity; this may be due to the crystal lattice transformation. The parameters of the individual photoluminescence
spectra of ZnSxSe1-x : Mn nanocrystals were determined by one experimental measurement based on the Tikhonov
method and the derivative spectroscopy method. The nature of the individual photoluminescence bands is discussed.
The difference between the integral (sum of individual bands) and experimental spectrum arises from the presence of an additional individual band of low intensity in the experimental spectrum. This individual band is located in the region of E = 2.48 eV and is associated with the electronic transitions in Mn2+ ions in the ZnS lattice. UK: Зареєстровано спектри фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1-x і ZnSxSe1-x : Mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу, для всіх складів із кроком параметра x = 0,2. Відмічено переміщення максимуму інтегрального спектра фотолюмінесценції в нанокристалах ZnSxSe1-x і ZnSxSe1-x : Mn у бік більш великих енергій залежно від параметра x. Помічено, що в діапазоні значень x = 0.2÷0.4 відбувається різка зміна півширини інтегрального спектра фотолюмінесценції в нанокристалах ZnSxSe1-x і ZnSxSe1-x : Mn та інтенсивності сигналу, це може бути пов’язано з перетворенням кристалічної ґратки та різкою заміною оточення іонів Mn2+ із сірки на селен. Використовуючи формулу для згладжування експериментального спектра фотолюмінесценії на основі методу Тихонова, отримали регуляризаційний коефіцієнт. Параметри індивідуальних спектрів фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1-x : Mn визначено за одним експериментальним вимірюванням на основі методу похідної спектроскопії. Обговорюється природа окремих смуг фотолюмінесценції. Показано, що сума шістки знайдених окремих смуг може не відповідати експериментальному спектру фотолюмінесценії. Різниця між інтегральним (сумою окремих смуг) і експериментальним спектрами виникає через наявність додаткової окремої смуги низької інтенсивності в експериментальному спектрі. Ця окрема смуга розташована в області E = 2.48 еВ і пов’язана з електронними переходами в іонах Mn2+ у ґратці ZnS. Отримані результати дозволяють використовувати синтезовані методом самопоширюваного високотемпературного синтезу нанокристали ZnSxSe1-x і ZnSxSe1-x : Mn для різноманітних оптоелектронних пристроїв. |
URI: | http://srd.pgasa.dp.ua:8080/xmlui/handle/123456789/10584 |
Other Identifiers: | http://mtom.pgasa.dp.ua/article/view/280444 DOI: 10.30838/J.PMHTM.2413.280323.61.946 |
Appears in Collections: | N 1(100) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
PLAKHTII Ye.pdf | 637,8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.